SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共2条,第1-2条 帮助

限定条件                    
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
一种高晶体质量超细砷化铟纳米线生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-04-24
发明人:  赵建华;  潘东
Adobe PDF(3401Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:536/44  |  提交时间:2014/11/24
立式III-V族锑化物半导体单晶薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  潘东;  赵建华
Adobe PDF(395Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:336/3  |  提交时间:2016/09/12