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| 增强n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的电致发光性能的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102394263A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 尹志岗; 张曙光; 张兴旺; 董敬敬; 高红丽; 施辉东
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| 增强ZnO基发光二极管紫光电致发光性能的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102394264A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 张兴旺; 张曙光; 尹志岗; 董敬敬; 高红丽; 施辉东
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| 聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010196156.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王宝军; 朱洪亮; 赵玲娟; 王圩; 潘教青; 梁松; 边静; 安心; 王伟; 周代兵
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| 制备有序Al纳米颗粒的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910082081.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 游经碧 ; 张兴旺; 高云; 董敬敬; 陈诺夫
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| 图案化纳米模板及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010520234.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 董敬敬; 张兴旺; 尹志岗; 谭海仁; 高云; 张曙光; 白一鸣
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| 用于皮下药物注射的基于柔性基底的微针阵列及其制法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910083494.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 裴为华; 王宇; 郭凯; 归强; 王淑静; 朱琳; 陈弘达
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| 一种制备氧化锌纳米材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237099.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 董敬敬; 张兴旺; 游经碧; 高云
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| 异质掩埋激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010196147.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王宝军; 朱洪亮; 赵玲娟; 王圩; 潘教青; 陈娓兮; 梁松; 边静; 安心; 王伟
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| 改善n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130229A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 张曙光; 张兴旺; 尹志岗; 董敬敬; 游经碧
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| 具有硅纳米线结构的硅薄膜太阳能电池的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-20, 2013-03-20
发明人: 谢小兵; 曾湘波; 杨萍; 李洁; 李敬彦; 张晓东; 王启明
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