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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [5]
作者
徐波 [3]
叶小玲 [1]
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会议论文 [5]
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2006 [1]
2001 [2]
2000 [1]
1999 [1]
语种
英语 [5]
出处
CHINESE PH... [1]
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JOURNAL OF... [1]
JOURNAL OF... [1]
PHYSICA E,... [1]
资助项目
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CPCI-S [5]
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High-power operation of quantum cascade lasers endured prolonged air-oxidation
会议论文
Conference Digest of the 2006 Joint 31st International Conference on Infrared and Millimeter Waves and 14th International Conference on Terahertz Electronics, Shanghai, PEOPLES R CHINA, SEP 18-22, 2006
作者:
Shao, Y (Shao, Ye)
;
Liu, FQ (Liu, Feng-Qi)
;
Li, L (Li, Lu)
;
Lu, XZ (Lu, Xiu-Zhen)
;
Liu, JQ (Liu, Jun-Qi)
;
Wang, ZG (Wang, Zhan-Guo)
;
Liu, FQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Photoluminescence of nanocrystalline SiC films prepared by rf magnetron sputtering
会议论文
CHINESE PHYSICS, 10, BEIJING, PEOPLES R CHINA, OCT 30-NOV 02, 2000
作者:
Liu JW
;
Xie FQ
;
Zhong DY
;
Wang EG
;
Liu WX
;
Li SF
;
Yang H
;
Liu JW Chinese Acad Sci Inst Phys State Key Lab Surface Phys POB 603 Beijing 100080 Peoples R China.
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浏览/下载:802/0
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提交时间:2010/11/15
Luminescence
Sic
Nanocrystalline Film
Rf Sputtering
Raman-scattering
Self-assembled quantum dots, wires and quantum-dot lasers
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Wang ZG
;
Chen YH
;
Liu FQ
;
Xu B
;
Wang ZG Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1230/323
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提交时间:2010/11/15
Low Dimensional Structures
Strain
Molecular Beam Epitaxy
Quantum Dots
Semiconducting Iii-v Materials
Laser Diodes
Well Lasers
Optical properties of self-assembled ternary In(GA/Al)As quantum dots on (100) and (N 1 1)B InP substrates
会议论文
PHYSICA E, 8 (2), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Sun ZZ
;
Liu FQ
;
Wu J
;
Ye XL
;
Ding D
;
Xu B
;
Liang JB
;
Wang ZG
;
Sun ZZ Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1241/262
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提交时间:2010/11/15
Self-assembled Quantum Dots
Inp Substrate
High Index
Mbe
In(Ga
Molecular-beam-epitaxy
Al)as/inAlas/inp
Vapor-phase Epitaxy
Gaas
Islands
Photoluminescence
Inp(001)
Growth
Lasers
Photoluminescence study on coarsening of self-assembled InAlAs quantum dots on GaAs (001)
会议论文
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 28 (5), CHARLOTTESVILLE, VIRGINIA, JUN 24-26, 1998
作者:
Zhou W
;
Xu B
;
Xu HZ
;
Liu FQ
;
Liang JB
;
Wang ZG
;
Zhu ZZ
;
Li GH
;
Zhou W Chinese Acad Sci Lab Semicond Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Bimodal Distribution
Photoluminescence (Pl)
Quantum-size Effect
Ge
Ensembles
Si(100)
Growth
Shape