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砷化镓基量子级联半导体激光器材料及生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李路;  刘峰奇;  刘俊岐;  郭瑜;  周华兵;  梁凌燕;  吕小晶
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lin GJ (Gui-Jiang, Lin);  Zhou ZW (Zhou Zhi-Wen);  Lai HK (Lai Hong-Kai);  Li C (Li Cheng);  Chen SY (Chen Song-Yan);  Yu JZ (Yu Jin-Zhong);  Lin, GJ, Xiamen Univ, Dept Phys, Semicond Photon Res Ctr, Xiamen 361005, Peoples R China. 电子邮箱地址: jzyu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈瑶;  周玉琴;  张群芳;  朱美芳;  刘丰珍;  刘金龙;  陈诺夫
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