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增强n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的电致发光性能的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102394263A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  尹志岗;  张曙光;  张兴旺;  董敬敬;  高红丽;  施辉东
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增强ZnO基发光二极管紫光电致发光性能的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102394264A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  张兴旺;  张曙光;  尹志岗;  董敬敬;  高红丽;  施辉东
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一种增强有机聚合物太阳能电池效率的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102394272A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  张兴旺;  高红丽;  谭海仁;  尹志岗;  吴金良
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改善n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130229A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  张曙光;  张兴旺;  尹志岗;  董敬敬;  游经碧
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制备c轴垂直取向图案化磁记录介质的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102097106A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  高云;  张兴旺;  尹志岗;  屈盛;  高红丽
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增强型半导体-金属复合结构磁场传感器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号:  CN102520377A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  尹志岗;  张兴旺;  吴金良;  付振;  张汉
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在图形化的半导体衬底上制作有序半导体纳米结构的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010140985.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人:  陈涌海;  刘建庆;  高云;  徐波;  张兴旺;  王占国
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