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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中科院半导体材料科学... [7]
集成光电子学国家重点... [3]
中国科学院半导体研究... [2]
光电系统实验室 [1]
作者
王玥 [2]
文献类型
专利 [13]
发表日期
2009 [1]
2005 [1]
语种
中文 [13]
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SEMI OpenIR
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
一种光纤振动传感器
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人:
张兴旺
Adobe PDF(443Kb)
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浏览/下载:932/169
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提交时间:2010/03/19
便携式低功耗微照明用光纤冷光源
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-09-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
祝宁华
;
张尚剑
;
刘宇
;
袁海庆
;
曾雄文
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浏览/下载:964/145
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提交时间:2009/06/11
增强n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的电致发光性能的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102394263A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
尹志岗
;
张曙光
;
张兴旺
;
董敬敬
;
高红丽
;
施辉东
Adobe PDF(416Kb)
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浏览/下载:1198/201
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提交时间:2012/09/09
增强ZnO基发光二极管紫光电致发光性能的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102394264A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
张兴旺
;
张曙光
;
尹志岗
;
董敬敬
;
高红丽
;
施辉东
Adobe PDF(399Kb)
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浏览/下载:1149/183
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提交时间:2012/09/09
一种增强有机聚合物太阳能电池效率的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102394272A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
张兴旺
;
高红丽
;
谭海仁
;
尹志岗
;
吴金良
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浏览/下载:1309/222
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提交时间:2012/09/09
改善n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130229A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
张曙光
;
张兴旺
;
尹志岗
;
董敬敬
;
游经碧
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浏览/下载:1528/244
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提交时间:2012/09/09
制备c轴垂直取向图案化磁记录介质的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102097106A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
高云
;
张兴旺
;
尹志岗
;
屈盛
;
高红丽
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浏览/下载:1346/227
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提交时间:2012/09/09
增强型半导体-金属复合结构磁场传感器及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102520377A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
尹志岗
;
张兴旺
;
吴金良
;
付振
;
张汉
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浏览/下载:1214/202
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提交时间:2012/09/09
基于频数直方图测量脉冲激光全脉宽的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010564589.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人:
王新伟
;
张欣
;
周燕
;
刘育梁
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浏览/下载:1384/93
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提交时间:2011/08/31
在图形化的半导体衬底上制作有序半导体纳米结构的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010140985.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人:
陈涌海
;
刘建庆
;
高云
;
徐波
;
张兴旺
;
王占国
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浏览/下载:1054/34
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提交时间:2011/08/31