SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共3条,第1-3条 帮助

限定条件        
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
CMOS图像传感器全局曝光像素单元 专利
专利类型: 发明, 专利号:  CN102447848A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-05-09, 2012-08-29
发明人:  周杨帆;  吴南健;  曹中祥;  李全良;  秦琦
Adobe PDF(760Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1382/254  |  提交时间:2012/08/29
一种对铁电晶体材料进行极化的极化电极 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102436114A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  郑婉华;  范学东;  马传龙;  马绍栋;  齐爱谊
Adobe PDF(392Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1182/304  |  提交时间:2012/09/09
一种大厚度周期极化铁电晶体材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102520561A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  郑婉华;  马传龙;  范学东;  马绍栋;  齐爱谊
Adobe PDF(394Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1360/250  |  提交时间:2012/09/09