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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu XY (Liu Xiao-Yu);  Ma WQ (Ma Wen-Quan);  Zhang YH (Zhang Yan-Hua);  Huo YH (Huo Yong-Heng);  Chong M (Chong Ming);  Chen LH (Chen Liang-Hui)
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一种在GaAs衬底上外延生长InAs/GaSb二类超晶格的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-07
发明人:  郭晓璐;  马文全;  张艳华
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