中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Influence of AlGaN Buffer Growth Temperature on GaN Epilayer based on Si(111) Substrate 会议论文
3RD INTERNATIONAL PHOTONICS AND OPTOELECTRONICS MEETINGS (POEM 2010), 276: Art. No. 012094 2011, Wuhan, PEOPLES R CHINA, NOV 02-05, 2010
作者:  Wei M (Wei Meng);  Wang XL (Wang Xiaoliang);  Pan X (Pan Xu);  Xiao HL (Xiao Hongling);  Wang CM (Wang Cuimei);  Zhang ML (Zhang Minglan);  Wang ZG (Wang Zhanguo)
Adobe PDF(668Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：2440/494  |  提交时间：2011/07/15
大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管及制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102324436A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:  张雨溦;  张杨;  曾一平
Adobe PDF(473Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1939/323  |  提交时间：2012/08/29