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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [9]
作者
钱轩 [1]
杨涛 [1]
马文全 [1]
陈林 [1]
文献类型
期刊论文 [5]
专利 [2]
会议论文 [2]
发表日期
2009 [9]
语种
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出处
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发表日期:2009
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期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
基于核独立分量分析的电流传感器角差在线监测方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-11, 公开日期: 4012
发明人:
鲁华祥
;
金骥
;
马晓燕
Adobe PDF(640Kb)
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浏览/下载:1166/190
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提交时间:2010/03/19
有机染料分子敏化非晶硅/微晶硅太阳电池的制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-22, 公开日期: 4001
发明人:
张长沙
;
王占国
;
石明吉
;
彭文博
;
刘石勇
;
肖海波
;
廖显伯
;
孔光临
;
曾湘波
Adobe PDF(408Kb)
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浏览/下载:1445/263
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提交时间:2010/03/19
Large-Signal Performance of 1.3 mu m InAs/GaAs quantum-dot lasers
会议论文
, Shanghai, PEOPLES R CHINA, AUG 30-SEP 03, 2009
作者:
Ji
;
HM
;
Cao
;
YL
;
Xu PF
;
Gu YX
;
Ma WQ
;
Liu Y
;
Wang X
;
Xie L
;
Yang T
;
Ji, HM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China
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浏览/下载:1731/471
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提交时间:2010/06/04
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen L
;
Yan S
;
Xu PF
;
Lu J
;
Wang WZ
;
Deng JJ
;
Qian X
;
Ji Y
;
Zhao JH
;
Zhao, JH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jhzhao@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1233/424
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提交时间:2010/03/08
In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD
会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:
Sun, GS
;
Zhao, YM
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Liu, XF
;
Ji, G
;
Zeng, YP
;
Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(273Kb)
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浏览/下载:1616/274
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提交时间:2010/03/09
In-situ Doping
Boron
Aluminum
Memory Effects
Hot-wall Lpcvd
4h-sic
无权访问的条目
期刊论文
作者:
沈海波
;
郭亨群
;
王国立
;
王加贤
;
吴志军
;
宋江婷
;
徐骏
;
陈坤基
;
王启明
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浏览/下载:1587/396
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
宋江婷
;
郭亨群
;
王加贤
;
吴志军
;
王国立
;
沈海波
;
徐骏
;
陈坤基
;
王启明
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浏览/下载:1533/399
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
王吉武
;
黄鲁成
;
李剑
;
刘王来
;
卢文光
Adobe PDF(1714Kb)
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浏览/下载:977/296
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
杨威
;
姬扬
;
罗海辉
;
阮学忠
;
王玮竹
;
赵建华
Adobe PDF(1043Kb)
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浏览/下载:1037/336
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提交时间:2010/11/23