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无权访问的条目 期刊论文
作者:  X.F. Liu;   G.G. Yan;   L. Sang;   Y.X. Niu;   Y.W. He;   Z.W. Shen;   Z.X. Wen;   J. Chen;   W.S. Zhao;   L. Wang;   M. Guan;   F. Zhang;   G.S. Sun;   Y.P. Zeng
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  G.G. Yan;   Y.W. He;   Z.W. Shen;   Y.X. Cui;   J.T. Li;   W.S. Zhao;   L. Wang;   X.F. Liu;   F. Zhang;   G.S. Sun;   Y.P. Zeng
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  X.F. Liu ;   G.G. Yan ;   Z.W. Shen ;   Z.X. Wen ;   J. Chen ;   Y.W. He ;   W.S. Zhao ;   L. Wang ;   M. Guan ;   F. Zhang ;   G.S. Sun ;   Y.P. Zeng
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  G.G. Yan ;   X.F. Liu ;   Z.W. Shen ;   W.S. Zhao ;   L. Wang ;   Y.X. Cui ;   J.T. Li ;   F. Zhang ;   G.S. Sun ;   Y.P. Zeng
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  G.G. Yan ;   X.F. Liu ;   Z.W. Shen ;   Z.X. Wen ;   J. Chen ;   W.S. Zhao ;   L. Wang ;   F. Zhang ;   X.H. Zhang ;   X.G. Li ;   G.S. Sun ;   Y.P. Zeng ;   Z.G. Wang
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  X.F. Liu ;   G.G. Yan ;   B. Liu ;   Z.W. Shen ;   Z.X. Wen ;   J. Chen ;   W.S. Zhao ;   L. Wang ;   F. Zhang ;   G.S. Sun ;   Y.P. Zeng
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一种多片碳化硅半导体材料制造装置 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  闫果果;  孙国胜;  刘兴昉;  张峰;  王雷;  赵万顺;  曾一平
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沟槽型MOS势垒肖特基二极管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11
发明人:  郑柳;  孙国胜;  张峰;  刘兴昉;  王雷;  赵万顺;  闫果果;  董林;  刘胜北;  刘斌;  田丽欣;  曾一平
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沟槽型MOS势垒肖特基二极管 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人:  郑柳;  孙国胜;  张峰;  刘兴昉;  王雷;  赵万顺;  闫果果;  董林;  刘胜北;  刘斌;  田丽欣;  曾一平
Adobe PDF(241Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1470/130  |  提交时间：2014/11/24
在碳化硅半导体薄膜双注入区形成短沟道的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18
发明人:  郑柳;  孙国胜;  刘兴昉;  张峰;  王雷;  赵万顺;  闫果果;  董林;  刘胜北;  刘斌;  曾一平
Adobe PDF(390Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：832/125  |  提交时间：2014/10/31