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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li YA;  Dou XM;  Chang XY;  Ni HQ;  Niu ZC;  Sun BQ;  Sun, BQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. bqsun@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li YA;  Dou XM;  Chang XY;  Ni HQ;  Niu ZC;  Sun BQ;  Sun, BQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. bqsun@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李文生;  孙宝权
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李文生;  孙宝权
Adobe PDF(658Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:848/257  |  提交时间:2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈彦超;  赵柏秦;  李伟
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砷化镓衬底上的多层变形缓冲层的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  高宏玲;  曾一平;  段瑞飞;  王宝强;  朱战平;  崔利杰
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao, HL (Gao Hong-Ling);  Li, DL (Li Dong-Lin);  Zhou, WZ (Zhou Wen-Zheng);  Shang, LY (Shang Li-Yan);  Wang, BQ (Wang Bao-Qiang);  Zhu, ZP (Zhu Zhan-Ping);  Zeng, YP (Zeng Yi-Ping);  Gao, HL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hlgao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  高宏玲;  李东临;  周文政;  商丽燕;  王宝强;  朱战平;  曾一平
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倒装氮化镓基发光二极管芯片的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李丙乾;  张书明;  杨辉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  牛智川;  黄社松;  龚政;  方志丹;  倪海桥;  孙宝权;  李树深;  夏建白
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