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改进的部分耗尽绝缘体上硅静态随机存储器存储单元 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人:  赵 凯;  刘忠立;  于 芳
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高均匀性(In)GaAsP/(AlGa)0.5In0.5P外延片的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  仲莉;  马骁宇
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780nm～850nm无铝激光器外延片的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  仲莉;  马骁宇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘忠立
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