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磁性p-n结薄膜材料及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周剑平;  陈诺夫;  张富强;  刘志凯;  杨少延;  柴春林
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键合强度可调节的柔性衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张志成;  杨少延;  黎大兵;  陈涌海;  王占国
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组份渐变铁磁性半导体制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈诺夫;  张富强;  杨君玲;  刘志凯;  杨少延;  柴春林
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半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨君玲;  陈诺夫;  何家宏;  钟兴儒;  吴金良;  林兰英;  刘志凯;  杨少延;  柴春林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang ZC;  Chen YH;  Yang SY;  Zhang FQ;  Ma BS;  Xu B;  Zeng YP;  Wang ZG;  Zhang XP;  Zhang ZC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth 会议论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 66 (1-4), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:  Zhang ZC;  Ren BY;  Chen YH;  Yang SY;  Wang ZG;  Zhang ZC Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
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Czochralski Method  Growth From Melt  Semiconductor Silicon  Argon Gas Flow  Computer Simulation  Oxygen Content  Furnace Pressure  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou JP;  Chai CL;  Yang SY;  Liu ZK;  Song SL;  Chen NF;  Lin LY;  Zhou JP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang ZC;  Chen YH;  Li DB;  Zhang FQ;  Yang SY;  Ma BS;  Sun GS;  Wang ZG;  Zhang XP;  Zhang ZC,Chinese Acad Sci,Lab Semicond Mat Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang ZC;  Yang SY;  Zhang FQ;  Xu B;  Zeng YP;  Chen YH;  Wang ZG;  Zhang ZC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang FQ;  Chen NF;  Liu ZK;  Chai CL;  Yang SY;  Yang JL;  Wu JL;  Lin LY;  Callaghan FD;  Li T;  Foxton CT;  Bates CA;  Zhang FQ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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