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| 一种近红外单光子探测器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-24, 公开日期: 3998
发明人: 曹延名; 吴 孟; 杨富华
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| 共振隧穿二极管D触发器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-10, 公开日期: 3997
发明人: 杜 睿; 杨富华
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| 一种纳米尺度镍金空气桥的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张杨; 刘剑 ; 李艳; 杨富华
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| 光学复合膜作电极的GaN功率型LED的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李晋闽; 王晓东; 王国宏; 王良臣; 杨富华
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Tan XT; Zheng HZ; Liu J; Zhu H; Xu P; Li GR; Yang FH; Zheng HZ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Microstruct & Superlattices POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: hzzheng@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liang JR; Hu M; Wang XD; Li GK; Ji A; Yang FH; Liu J; Wu NJ; Chen HD; Liang JR Tianjin Univ Sch Elect & Informat Engn Tianjin 300072 Peoples R China. E-mail Address: liang_jiran@tju.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Don XM; Sun BQ; Huang SS; Ni HQ; Niu ZC; Yang FH; Jia R; Sun BQ Chinese Acad Sci Inst Semicond SKLSM Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: bqsun@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhou W; Yang JL; Li Y; Ji A; Yang FH; Yu YD; Yang JL Chinese Acad Sci Inst Semicond Qinghua Donglu A 35 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jlyang@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 梁继然; 胡明; 王晓东; 李贵柯; 季安; 杨富华; 刘剑; 吴南健; 陈弘达
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