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制作半导体台面侧向电流限制结构的技术 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 1997-05-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王圩;  王志杰;  张济志;  朱洪亮
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金属有机气相外延InGaAsP/InP应变量子阱分布反馈激光器与光放大器集 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 1997
作者:  王志杰
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王志杰;  陈博;  王圩;  张济志;  朱洪亮;  周帆;  王玉田;  金才政;  马朝华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王志杰;  陈博;  王圩;  张济志;  朱洪亮;  周帆;  金才政;  马朝华;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang ZJ(王志杰);  Ceng HQ(曾汉奇);  Jiang ZP(姜子平);  Wang W(王圩);  Wang QM(王启明)
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