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一种在立方氮化硼薄膜上制备良好欧姆接触的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张兴旺;  陈诺夫
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一种考夫曼离子源中的中和阴极灯丝及其方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张兴旺;  陈诺夫
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yin ZG (Yin Zhigang);  Chen NF (Chen Nuofu);  Dai RX (Dai Ruixuan);  Liu L (Liu Lei);  Zhang XW (Zhang Xingwang);  Wang XH (Wang Xiaohui);  Wu JL (Wu Jinliang);  Chai CL (Chai Chunlin);  Yin, ZG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yzhg@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  You JB;  Zhang XW;  Fan YM;  Qu S;  Chen NF;  Zhang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xwzhang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dai Ruixuan;  Chen Nuofu;  Zhang Xingwang;  Peng Changtao;  Wu Jinliang
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张兴旺;  游经碧;  陈诺夫
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