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无破坏性检测高电子迁移率晶体管外延材料性能的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-10-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  崔利杰;  曾一平;  王保强;  朱战平
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GaAs 基InAlAs/InGaAs MHEMT材料性质与器件制作 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
作者:  崔利杰
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  仇志军;  桂永胜;  崔利杰;  曾一平;  黄志明;  疏小舟;  戴宁;  郭少令;  禇君浩
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