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自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点材料的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-11-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘金龙;  李树深;  牛智川
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无破坏性检测高电子迁移率晶体管外延材料性能的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-10-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  崔利杰;  曾一平;  王保强;  朱战平
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提高半导体光电转换器件性能的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-08-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李建明;  种明;  杨丽卿;  徐嘉东;  胡传贤;  段晓峰;  高旻;  朱建成;  王凤莲
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制备低温超薄异质外延用柔性衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-03-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张志成;  杨少延;  黎大兵;  陈涌海;  朱勤生;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Song, YP;  Zhang, HZ;  Lin, C;  Zhu, YW;  Li, GH;  Yang, FH;  Yu, DP;  Yu, DP, Peking Univ, Sch Phys, Natl Key Lab Mesoscop Phys, Beijing 100871, Peoples R China. 电子邮箱地址: yudp@pku.edu.cn
Adobe PDF(225Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1504/510  |  提交时间：2010/03/09
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang L;  Xin HL;  Fang C;  Wang, CX;  Li F;  Li ZM;  Liu YL;  Wang, QM;  Yang, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lyang@red.semi.ac.cn
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Long-wavelength SiGe/Si MQW resonant-cavity-enhanced photodiodes (RCE-PD) 会议论文
GETTERING AND DEFECT ENGINEERING IN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY, 95-96, BERLIN, GERMANY, SEP 21-26, 2003
作者:  Yu JZ;  Li C;  Cheng BW;  Wang QM;  Yu JZ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: jzyu@red.semi.ac.cn
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Dbr (Distributed Bragg Reflector)  Mqw (Multiple Quantum Wells)  Optical Fiber Communication  Photodiode  Rce-pd (Resonant-cavity-enhanced Photodiode)  Responsivity  Sige/si  Soi  
半导体纳米结构物理性质的理论研究 成果
2004
主要完成人:  夏建白;  李树深;  常凯;  朱邦芬
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纳米结构  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yu JZ;  Li C;  Cheng BW;  Wang QM;  Yu, JZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jzyu@red.semi.ac.cn
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GaAs 基InAlAs/InGaAs MHEMT材料性质与器件制作 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
作者:  崔利杰
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