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无权访问的条目 期刊论文
作者:  周文飞,叶小玲,徐波,张世著,王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng YS (Peng Yin-Sheng);  Ye XL (Ye Xiao-Ling);  Xu B (Xu Bo);  Niu JB (Niu Jie-Bin);  Jia R (Jia Rui);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Liang S (Liang Song);  Yang XH (Yang Xiao-Hong);  Peng, YS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cynthia@semi.ac.cn
Adobe PDF(889Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1201/366  |  提交时间：2010/11/14
无权访问的条目 期刊论文
作者:  彭银生;  叶小玲;  徐波;  牛洁斌;  贾锐;  王占国;  梁松;  杨晓红
Adobe PDF(889Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1112/194  |  提交时间：2011/08/16
控制自组织铟镓砷量子点成核的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 4007
发明人:  梁凌燕;  叶小玲;  金 鹏;  陈涌海;  徐 波;  王占国 
Adobe PDF(673Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1450/245  |  提交时间：2010/03/19
GaAs基半导体量子点激光器管芯质量的检测和分析方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  梁凌燕;  叶小玲;  徐波;  陈涌海;  王占国
Adobe PDF(750Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1511/208  |  提交时间：2009/06/11
具光磁性质含MnInAs/GaAs量子点样品的结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  胡良均;  陈涌海;  叶小玲;  王占国
Adobe PDF(553Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1171/166  |  提交时间：2009/06/11
砷化镓衬底上制备纳米尺寸坑的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李凯;  叶小玲;  王占国
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以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王元立;  吴巨;  金鹏;  叶小玲;  张春玲;  黄秀颀;  陈涌海;  王占国
Adobe PDF(409Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1472/181  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jia, GZ;  Yao, JH;  Zhang, CL;  Shu, Q;  Liu, RB;  Ye, XL;  Wang, ZG;  Yao, JH, Nankai Univ, TEDA Appl Phys Sch, Key Lab Photon Mat & Technol Informat Sci, Key Lab Adv Tech & Fabricat Weak Light Nonlinear, Tianjin 300475, Peoples R China. 电子邮箱地址: yaojh@nankai.edu.cn
Adobe PDF(362Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：861/276  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu LJ (Hu Liang-Jun);  Chen YH (Chen Yong-Hai);  Ye XL (Ye Xiao-Ling);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Hu, LJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: liangjun_hu@yahoo.com.cn
Adobe PDF(225Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1203/274  |  提交时间：2010/03/29