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宽光谱砷化铟/砷化铝镓量子点材料生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘宁;  金鹏;  王占国
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宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘宁;  金鹏;  王占国
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Heavily doped polycrystalline 3C-SiC growth on SiO2/Si(100) substrates for resonator applications 会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2006丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Newcastle upon Tyne, ENGLAND, SEP, 2006
作者:  Sun, G (Sun, Guosheng);  Ning, J (Ning, Jin);  Liu, X (Liu, Xingfang);  Zhao, Y (Zhao, Yongmei);  Li, J (Li, Jiaye);  Wang, L (Wang, Lei);  Zhao, W (Zhao, Wanshun);  Wang, L (Wang, Liang);  Sun, G, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Polycrystalline 3c-sic  Resonator  Doping  Silicon-carbide  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  梁萌;  王国宏;  范曼宁;  郭德博;  刘广义;  马龙;  王良臣;  李晋闽
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