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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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发表日期:2008
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一种生长氧化锌薄膜的装置及方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
刘祥林
;
赵凤瑷
;
焦春美
;
董向芸
;
张晓沛
;
范海波
;
魏宏源
;
张攀峰
;
王占国
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yang, CB
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Zhang, XB
;
Hua, GX
;
Ran, JX
;
Wang, CM
;
Li, JP
;
Li, JM
;
Wang, ZG
;
Yang, CB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Jia 35,Qinghua Dong Rd,POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cbyang@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
Native deep level defects in ZnO single crystal grown by CVT method - art. no. 68410I
会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:
Zhao, YW
;
Zhang, F
;
Zhang, R
;
Dong, ZY
;
Wei, XC
;
Zeng, YP
;
Li, JM
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Zinc Oxide
Defect
Vacancy
Monolithic Integration of Light Emitting Diodes, Photodetector and Receiver Circuit in Standard CMOS Technology
会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:
Huang BJ
;
Xu Zhang
;
Zan Dong
;
Wei Wang
;
Chen HD
;
Huang, BJ, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Silicon
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang Rui
;
Zhang Fan
;
Zhao Youwen
;
Dong Zhiyuan
;
Yang Jun
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提交时间:2010/11/23
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期刊论文
作者:
张瑞
;
张方
;
赵有文
;
董志远
;
杨俊
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提交时间:2010/11/23
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期刊论文
作者:
谢红云
;
金冬月
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何莉剑
;
张蔚
;
王路
;
张万荣
;
王圩
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
张璠
;
赵有文
;
董志远
;
张瑞
;
杨俊
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提交时间:2010/11/23