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砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  倪海桥;  韩勤;  张石勇;  吴东海;  赵欢;  杨晓红;  彭红玲;  周志强;  熊永华;  吴荣汉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cui XD (Cui Xiao-Dong);  Shen SQ (Shen Shun-Qing);  Li J (Li Jian);  Ji Y (Ji Yang);  Ge WK (Ge Weikun);  Zhang FC (Zhang Fu-Chun);  Shen, SQ, Univ Hong Kong, Dept Phys, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. 电子邮箱地址: sshen@hkucc.hku.hk
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu Y (Xu Ying);  Diao HW (Diao Hong-Wei);  Zhang SB (Zhang Shi-Bin);  Li XD (Li Xu-Dong);  Zeng XB (Zeng Xiang-Bo);  Wang WJ (Wang Wen-Jing);  Liao XB (Liao Xian-Bo);  Xu, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Surface Phys, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu, H (Zhu Hui);  Zheng, HZ (Zheng Hou-Zhi);  Li, GR (Li Gui-Rong);  Tan, PH (Tan Ping-Heng);  Gan, HD (Gan Hua-Dong);  Xu, P (Xu Ping);  Zhang, F (Zhang Fei);  Zhang, H (Zhang Hao);  Xiao, WB (Xiao Wen-Bo);  Sun, XM (Sun Xiao-Ming);  Zhu, H, Chinese Acad Sci, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  许颖;  刁宏伟;  张世斌;  励旭东;  曾湘波;  王文静;  廖显伯
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