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气态束源炉瞬态开关控制真空装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-11-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  倪海桥;  徐晓华;  徐应强;  张纬;  韩勤;  吴荣汉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu, XH;  Niu, ZC;  Ni, HQ;  Xu, YQ;  Zhang, W;  He, ZH;  Han, Q;  Wu, RH;  Xu, XH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Supperlattice & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xiaohua_xu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ni HQ;  Xu XH;  Wei Z;  Xu YQ;  Niu ZC;  Wu RH;  Ni, HQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu YQ;  Zhang W;  Niu ZC;  Wu RH;  Wang QM;  Xu, YQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yingqxu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ren L;  Zhang HZ;  Tan PH;  Chen YF;  Zhang ZS;  Chang YQ;  Xu J;  Yang FH;  Yu DP;  Yu, DP, Peking Univ, Sch Phys, State Key Lab Mesoscop Phys, Beijing 100871, Peoples R China. 电子邮箱地址: yudp@pku.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou XL;  Zhao YW;  Sun NF;  Yang GY;  Xu YQ;  Sun TN;  Zhou, XL, Hebei Semicond Res Inst, POB 17940,Shijiazhuang, Hebei 050051, Peoples R China. 电子邮箱地址: tnsun@heinfo.net
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ni HQ;  Niu ZC;  Xu XH;  Xu YQ;  Zhang W;  Wei X;  Bian LF;  He ZH;  Han Q;  Wu RH;  Ni, HQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zcniu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong, QR;  Xu, YQ;  Zhang, SY;  Niu, ZC;  Dong, QR, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlatt & Microstruct, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qrdong@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  倪海桥;  徐晓华;  张纬;  徐应强;  牛智川;  吴荣汉
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