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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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Study of molecular-beam epitaxy growth on patterned GaAs (1 0 0) substrates by masked indium ion implantation
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 318 (1): 572-575, Beijing, PEOPLES R CHINA, AUG 08-13, 2010
作者:
阎Zhou HY (Zhou Huiying)
;
Qu SC (Qu Shengchun)
;
Jin P (Jin Peng)
;
Xu B (Xu Bo)
;
Ye XL (Ye Xiaoling)
;
Liu JP (Liu Junpeng)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
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提交时间:2011/07/17
Growth of GaN film on Si (111) substrate using AlN sandwich structure as buffer
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 318 (1): 464-467, Beijing, PEOPLES R CHINA, AUG 08-13, 2010
作者:
Pan X (Pan Xu)
;
Wei M (Wei Meng)
;
Yang CB (Yang Cuibai)
;
Xiao HL (Xiao Hongling)
;
Wang CM (Wang Cuimei)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
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提交时间:2011/07/17
Growth behavior of AlInGaN films
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Sendai, JAPAN, MAY 21-24, 2008
作者:
Shang JZ
;
Zhang BP
;
Mao MH
;
Cai LE
;
Zhang JY
;
Fang ZL
;
Liu BL
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Kusakabe K
;
Ohkawa K
;
Zhang, BP, Xiamen Univ, Dept Phys, Xiamen 361005, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Scanning Electron Microscope
Dipole mode photonic crystal point defect laser on InGaAsP/InP
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 16-19, 2005
作者:
Zheng WH
;
Ren G
;
Ma XT
;
Cai XH
;
Chen LH
;
Nozaki K
;
Baba T
;
Zheng, WH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Nano Optoelect Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: whzheng@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
Dipole Mode
Electroabsorption modulated semiconductor optical amplifier monolithically integrated with spot-size converters
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Singapore, SINGAPORE, JUL 03-08, 2005
作者:
Hou LP
;
Zhu HL
;
Zhou F
;
Wang BJ
;
Bian J
;
Wang W
;
Hou, LP, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Res Ctr Optoelect Technol, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: houlp@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
Asymmetric Twin Waveguide
Electronic structures of wurtzite ZnO and ZnO/MgZnO quantum well
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Singapore, SINGAPORE, JUL 03-08, 2005
作者:
Fan WJ
;
Abiyasa AP
;
Tan ST
;
Yu SF
;
Sun XW
;
Xia JB
;
Yeo YC
;
Li MF
;
Chong TC
;
Fan, WJ, Nanyang Technol Univ, Sch Elect & Elect Engn, Singapore 639798, Singapore. 电子邮箱地址: ewjfan@ntu.edu.sg
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提交时间:2010/03/29
Computer Simulation
Optical properties of inGaAs/GaAs quantum wells grown by Sb-assisted molecular beam epitaxy
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Singapore, SINGAPORE, JUL 03-08, 2005
作者:
Jiang, DS
;
Qu, YH
;
Ni, HQ
;
Wu, DH
;
Xu, YQ
;
Niu, ZC
;
Jiang, DS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dsjiang@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
Molecular Beam Epitaxy
High-performance EML grown on taper-masked pattern substrates by ultra-low-pressure MOCVD
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Singapore, SINGAPORE, JUL 03-08, 2005
作者:
Zhao, Q
;
Pan, JQ
;
Zhang, J
;
Zhu, HL
;
Wang, W
;
Zhao, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qzhao@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
Selective Area Growth
Effects of polarization field on formation of two-dimensional electron gas in (0001) and (11(2)over-bar0) plane AlGaN/GaN heterostructures
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:
Chen Z
;
Chua SJ
;
Yuan HR
;
Liu XL
;
Lu DC
;
Han PD
;
Wang ZG
;
Chen Z Singapore MIT Alliance AMMNS E4-04-10NUS4 Engn Dr3 Singapore 117576 Singapore. 电子邮箱地址: smacz@nus.edu.sg
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提交时间:2010/10/29
Metalorganic Chemical Vapor Deposition
Semiconducting Iii-v Materials
Doped Al(x)Ga1-xn/gan Heterostructures
Carrier Confinement
Effect Transistors
Photoluminescence
Mobility
Heterojunction
Interface
Hfets
Study of infrared luminescence from Er-implanted GaN films
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:
Chen WD
;
Song SF
;
Zhu JJ
;
Wang XL
;
Chen CY
;
Hsu CC
;
Chen WD Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: wdchen@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/11/15
Doping
Metalorganic Chemical Vapor Deposition
Molecular Beam Epitaxy
Gallium Compounds
Semiconducting Gallium Compounds
Erbium