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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou GY;  Chen YH;  Yu JL;  Zhou XL;  Ye XL;  Jin P;  Wang ZG;  Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. yhchen@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen YH;  Ye XL;  Xu B;  Wang ZG;  Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: yhchen@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun J;  Jin P;  Zhao C;  Yu LK;  Ye XL;  Xu B;  Chen YH;  Wang ZG;  Sun, J, Lund Univ, SE-22100 Lund, Sweden. E-mail: albertjefferson@sohu.com
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Influence of In0.2Ga0.8As strain-reducing layer on the active region of quantum dot superluminescent diodes 会议论文
QUANTUM CONFINED SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES, 737, BOSTON, MA, DEC 02, 2001-DEC 05, 2002
作者:  Zhang ZY;  Li CM;  Jin P;  Meng XQ;  Xu B;  Ye XL;  Wang ZG;  Zhang ZY Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
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Spectrum  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang ZY;  Meng XQ;  Jin P;  Li CM;  Qu SC;  Xu B;  Ye XL;  Wang ZG;  Zhang ZY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang YC;  Huang CJ;  Liu FQ;  Xu B;  Ding D;  Jiang WH;  Li YF;  Ye XL;  Wu J;  Chen YH;  Wang ZG;  Zhang YC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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