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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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Plasmonic Back Structures Designed for Efficiency Enhancement of Thin Film Solar Cells
会议论文
2010 CONFERENCE ON LASERS AND ELECTRO-OPTICS CLEO AND QUANTUM ELECTRONICS AND LASER SCIENCE CONFERENCE (QELS): - 2010, San Jose, CA, MAY 16-21, 2010
作者:
Bai WL (Bai Wenli)
;
Gan QQ (Gan Qiaoqiang)
;
Song GF (Song Guofeng)
;
Bartoli F (Bartoli Filbert)
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提交时间:2011/07/14
A Novel RFID Tag Chip with Temperature Sensor in Standard CMOS Process
会议论文
2010 IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON CIRCUITS AND SYSTEMS: 1109-1112 2010, Paris, FRANCE, MAY 30-JUN 02, 2010
作者:
Zhang Q (Zhang Qi)
;
Feng P (Feng Peng)
;
Zhou SH (Zhou Shenghua)
;
Geng ZQ (Geng Zhiqing)
;
Wu NJ (Wu Nanjian)
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提交时间:2011/07/14
AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs with improved mobility grown by MOCVD
会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:
Tang J
;
Wang XL
;
Chen TS
;
Xiao HL
;
Ran JX
;
Zhang ML
;
Hu GX
;
Feng C
;
Hou QF
;
Wei M
;
Li JM
;
Wang ZG
;
Tang, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Algan/gan Hemts
Nanoelectronic Circuit Architectures Based on Single-Electron Turnstiles
会议论文
2008 2ND IEEE INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, MAR 24-27, 2008
作者:
Zhang, WC
;
Wu, NJ
;
Zhang, WC, Chinese Acad Sci, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Transistors
Technology
Devices
Hydrogen sensors based on Pt-AlGaN/GaN back-to-back Schottky diode
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Kyoto, JAPAN, OCT 15-18, 2007
作者:
Wang, XH
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Feng, C
;
Wang, XY
;
Wang, BZ
;
Yang, CB
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Hu, GX
;
Li, JM
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Gas Sensors
Hemt Structures
Mobility
Temperature
Transistors
Growth
Mocvd
Layer
AlGaN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs structure with an AlN interlayer grown by MOCVD
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Kyoto, JAPAN, OCT 15-18, 2007
作者:
Tang, J
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Ran, JX
;
Wang, CM
;
Wang, XY
;
Hu, GX
;
Li, JM
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Performance
Heterostructures
Optimization
Mobility
Solid-state qubit measurement with single electron transistors
会议论文
SOLID-STATE QUANTUM COMPUTING, Taipei, TAIWAN, JUN 23-27, 2008
作者:
Jiao, HJ
;
Li, F
;
Wang, SK
;
Li, XQ
;
Jiao, HJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Solid-state Qubit
Single-electron-transistor
Quantum Measurement
Number-resolved Master Equation
A New Edge-Coupled Two-Terminal Double Heterojunction Phototransistor (ECTT-DHPT) and Its DC Characteristics
会议论文
2008 IEEE PHOTONICSGLOBAL@SINGAPORE (IPGC), Singapore, SINGAPORE, DEC 08-11, 2008
作者:
Wang, LS
;
Zhao, LJ
;
Pan, JQ
;
Zhang, W
;
Wang, H
;
Liang, S
;
Zhu, HL
;
Wang, W
;
Wang, LS, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
P-i-n/hbt
Wave-guide
Inp/ingaas
Frequency
Hbt
Fabrication of improved FD SOIMOSFETs for suppressing edge effect
会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:
Wang, N
;
Li, N
;
Liu, ZL
;
Yu, F
;
Li, GH
;
Wang, N, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Soi
Mosfet
Monostable-Bistable Transition Logic Element (MOBILE) Model for Single-Electron Transistors
会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:
Wang Y
;
Han WH
;
Yang X
;
Chen JJ
;
Yang FH
;
Wang, Y, Chinese Acad Sci, Res Ctr Semicond Integrated Technol, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
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