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AlGaN/GaN HEMT 功率开关器件漏电与陷阱效应研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
Authors:  郝美兰
Adobe PDF(13279Kb)  |  Favorite  |  View/Download:194/19  |  Submit date:2018/06/14
GaN HEMT 基础问题研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  何晓光
Adobe PDF(12727Kb)  |  Favorite  |  View/Download:631/83  |  Submit date:2016/06/02
Gan  Hemt  2deg  Mocvd  高阻  
1.3-μm 高速电吸收调制激光器芯片的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
Authors:  王会涛
Adobe PDF(4733Kb)  |  Favorite  |  View/Download:798/231  |  Submit date:2016/06/01
分布反馈激光器+电吸收调制器+光子集成芯片  
混合集成硅基微腔激光器研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
Authors:  隋少帅
Adobe PDF(8065Kb)  |  Favorite  |  View/Download:485/90  |  Submit date:2016/06/01
新型电注入方式LED芯片技术的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
Authors:  王钦金
Adobe PDF(7756Kb)  |  Favorite  |  View/Download:296/50  |  Submit date:2016/05/30
1.55微米InP基量子点可调谐外腔激光器和锁模激光器研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
Authors:  高凤
Adobe PDF(7164Kb)  |  Favorite  |  View/Download:644/274  |  Submit date:2016/06/01
Lattice vibrations and Raman scattering in two-dimensional layered materials beyond graphene 期刊论文
Nano Research, 2016, 页码: 1-39
Authors:  Xin Lu;  Xin Luo;  Jun Zhang;  Su Ying Quek;  Qihua Xiong
Adobe PDF(6581Kb)  |  Favorite  |  View/Download:160/0  |  Submit date:2017/03/16
Characterization of background carriers in InAs/GaSb quantum well 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2016, 卷号: 119, 期号: 9, 页码: 095710
Authors:  Junbin Li;  Xiaoguang Wu;  Guowei Wang;  Yingqiang Xu;  Zhichuan Niu;  Xinhui Zhang
Adobe PDF(1046Kb)  |  Favorite  |  View/Download:172/2  |  Submit date:2017/03/16