×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中国科学院半导体... [109]
半导体材料科学中心 [2]
中科院半导体照明研发... [1]
作者
徐波 [8]
江德生 [7]
叶小玲 [3]
韩伟华 [2]
韩培德 [2]
李运涛 [1]
更多...
文献类型
会议论文 [112]
发表日期
2016 [1]
2011 [2]
2010 [1]
2009 [2]
2008 [17]
2007 [3]
更多...
语种
英语 [111]
出处
JOURNAL OF... [7]
SOLID STAT... [6]
INTERNATIO... [3]
Internatio... [3]
MATERIALS ... [3]
Physica St... [3]
更多...
资助项目
收录类别
CPCI-S [92]
其他 [12]
CPCI(ISTP) [7]
资助机构
SPIE.; Chi... [8]
China Natl... [7]
IEEE. [4]
Ansto Sims... [2]
China Opt ... [2]
Chinese Ma... [2]
更多...
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共112条,第1-10条
帮助
限定条件
文献类型:会议论文
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
发表日期升序
发表日期降序
作者升序
作者降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
GaN-based violet lasers grown on sapphire with a novel facet fabrication method
会议论文
, 中国深圳, 2015
作者:
Yingdong Tian
;
Yun Zhang
;
Jianchang Yan
;
Xiang Chen
;
Yanan Guo
;
Xuecheng Wei
;
Junxi Wang
;
Jinmin Li
Adobe PDF(336Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:949/5
  |  
提交时间:2016/06/02
Influence of AlGaN Buffer Growth Temperature on GaN Epilayer based on Si(111) Substrate
会议论文
3RD INTERNATIONAL PHOTONICS AND OPTOELECTRONICS MEETINGS (POEM 2010), 276: Art. No. 012094 2011, Wuhan, PEOPLES R CHINA, NOV 02-05, 2010
作者:
Wei M (Wei Meng)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Pan X (Pan Xu)
;
Xiao HL (Xiao Hongling)
;
Wang CM (Wang Cuimei)
;
Zhang ML (Zhang Minglan)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
Adobe PDF(668Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:2424/494
  |  
提交时间:2011/07/15
Growth of GaN film on Si (111) substrate using AlN sandwich structure as buffer
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 318 (1): 464-467, Beijing, PEOPLES R CHINA, AUG 08-13, 2010
作者:
Pan X (Pan Xu)
;
Wei M (Wei Meng)
;
Yang CB (Yang Cuibai)
;
Xiao HL (Xiao Hongling)
;
Wang CM (Wang Cuimei)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
Adobe PDF(396Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:3119/831
  |  
提交时间:2011/07/17
A Novel CMOS Color Pixel for Vision Chips
会议论文
, Christchurch, NEW ZEALAND, 2009
作者:
Fu QY (Fu Qiuyu)
;
Zhang WC (Zhang Wancheng)
;
Lin QY (Lin Qingyu)
;
Wu NJ (Wu Nanjian)
;
Fu, QY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 10083, Peoples R China
Adobe PDF(931Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:2593/513
  |  
提交时间:2010/08/16
Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer
会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:
Zhao, YM
;
Sun, GS
;
Liu, XF
;
Li, JY
;
Zhao, WS
;
Wang, L
;
Li, JM
;
Zeng, YP
;
Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(246Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1861/307
  |  
提交时间:2010/03/09
Silicon Carbide
Aluminum Nitride
Buffer Layer
Lpcvd
Diffractive Grating Based Out-of-Plane Coupling between Silicon Nanowire and Optical Fiber
会议论文
, Shanghai, PEOPLES R CHINA, AUG 30-SEP 03, 2009
作者:
Li ZY
;
Zhu Y
;
Zhou L
;
Li YT
;
Han WH
;
Fan ZC
;
Yu YD
;
Yu JZ
;
Li, ZY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(227Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1955/455
  |  
提交时间:2010/06/04
AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs with improved mobility grown by MOCVD
会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:
Tang J
;
Wang XL
;
Chen TS
;
Xiao HL
;
Ran JX
;
Zhang ML
;
Hu GX
;
Feng C
;
Hou QF
;
Wei M
;
Li JM
;
Wang ZG
;
Tang, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(3875Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1714/433
  |  
提交时间:2010/03/09
Algan/gan Hemts
Characteristics of triangle and square InP/InGaAsP microlasers
会议论文
ICTON 2008: PROCEEDINGS OF 2008 10TH ANNIVERSARY INTERNATIONAL CONFERENCE ON TRANSPARENT OPTICAL NETWORKS, Athens, GREECE, JUN 22-26, 2008
作者:
Huang YZ
;
Wang SJ
;
Che KJ
;
Hu YH
;
Du Y
;
Yu LJ
;
Huang, YZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(271Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1504/252
  |  
提交时间:2010/03/09
Semiconductor Lasers
Characterization of self-organized InAs/GaAs quantum dots under strain-induced and temperature-controlled nucleation mechanisms by atomic force microscopy and photoluminescence spectroscopy
会议论文
2008 2ND IEEE INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, MAR 24-27, 2008
作者:
Liang, LY
;
Ye, XL
;
Jin, P
;
Chen, YH
;
Wang, ZG
;
Liang, LY, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(799Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1575/232
  |  
提交时间:2010/03/09
Induced Refractive-index
Growth
Lasers
Gaas
Polarization-Independent Micro-Ring Resonator on Silicon-on-Insulator
会议论文
2008 2ND IEEE INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, MAR 24-27, 2008
作者:
Geng, MM
;
Jia, LX
;
Zhang, L
;
Yang, L
;
Liu, YL
;
Li, F
;
Geng, MM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Optoelect Syst Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(607Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1631/309
  |  
提交时间:2010/03/09
Wave-guides
Devices
Design