中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
High-mobility Ga-polarity GaN achieved by NH3-MBE 会议论文
GAN AND RELATED ALLOYS-2002, 743, BOSTON, MA, DEC 02-06, 2002
作者:  Wang JX;  Wang XL;  Sun DZ;  Li JM;  Zeng YP;  Hu GX;  Liu HX;  Lin LY;  Wang JX Chinese Acad Sci Inst Semicond Mat Ctr POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(119Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1697/427  |  提交时间：2010/10/29
Molecular-beam Epitaxy  Ion-scattering Spectroscopy  Lattice Polarity  Single-crystals  Films  Polarization  Gan(0001)  Surfaces  Growth  Diodes  
The influence of oxygen content on photoluminescence from Er-doped SiOx 会议论文
LUMINESCENT MATERIALS, 560, SAN FRANCISCO, CA, APR 05-08, 1999
作者:  Chen WD;  Liang JJ;  Hsu CC;  Chen WD Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
收藏  |  浏览/下载：778/0  |  提交时间：2010/10/29
High temperature annealing behaviors of luminescent SIOx : H films 会议论文
LUMINESCENT MATERIALS, 560, SAN FRANCISCO, CA, APR 05-08, 1999
作者:  Ma ZX;  Xiang XB;  Sheng SR;  Liao XB;  Shao CL;  Umeno M;  Ma ZX Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
收藏  |  浏览/下载：915/0  |  提交时间：2010/10/29
Raman-spectra  Silicon  Photoluminescence