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| Design and fabrication of high-responsivity photodetector based on avalanche effect and surface plasmons effect 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2016
作者: Mehdi Afshari Bavil
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| 稀铋 磷化物 InP 1-xBi x晶格 振动与电学输运特性的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2016
作者: 魏冠男
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| 4H -SiC 基 SiO 2和 Al 2O3栅介质层的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2016
作者: 田丽欣
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| AlGaN/GaN HEMT 功率开关器件漏电与陷阱效应研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 郝美兰
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| 硅基锗材料的异质外延及高效发光器件研制 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 何超
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Si 基发光器件 Ge/si 量子点 Ge/sige 量子阱 Ge 薄膜 |
| 锗锡和锗铅合金材料能带调控的第一性原理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 黄文奇
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四族合金半导体 能带调控 第一性原理 |
| 离子束溅射沉积制备六方氮化硼二维原子晶体 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 王浩林
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六方氮化硼 二维原子晶体 离子束溅射沉积 衬底 大尺寸晶畴 |
| InP基雪崩光电二极管结构设计与关键工艺研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 李慧梅
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Ingaas/inp Apd Ingaas/inalas Apd 增益 暗电流 击穿电压 扩散zn掺杂 |
| 绿光InGaN/GaN多量子阱发光特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 刘炜
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| GaN HEMT 基础问题研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者: 何晓光
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Gan Hemt 2deg Mocvd 高阻 |
