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| InGaN/GaN多量子阱太阳能电池研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者: smliu@semi.ac.cn
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Ingan/gan 多量子阱 太阳能电池 光电转换效率 |
| (In)GaN/AlGaN/GaN异质结构中的二维电子和空穴气研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者: 闫俊达
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氮化镓 异质结构 二维空穴气 二维电子气 高电子迁移率晶体管 |
| 含铟GaN基HEMT结构的理论模拟及场板影响研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者: 李巍
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氮化镓 铟铝氮 高电子迁移率晶体管 二维电子气 电流崩塌 |
| InP基近中红外激光器的理论模拟和MOCVD材料生长 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者: 李健
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Inp基量子阱激光器 量子级联激光器 异变材料生长 |
| 4H-SiC场效应晶体管的仿真设计与沟槽型MOSFET的研制 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者: 申占伟
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4h-sic 场效应晶体管 No退火 Umosfet 欧姆接触 槽角圆弧化 米勒电容 |
| GaAs基磁性/非磁性低维结构中圆偏振光电导研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2017
作者: 邬庆
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稀磁半导体gamnas 偏振光电流 |
| 锗锡/锗硅锡隧穿场效应晶体管的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2017
作者: 王素元
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| CdX(X=S, Se, Te)半导体体材料及纳米线应变效应的第一性原理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者: 相琳琳
Adobe PDF(2279Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1073/20 | 提交时间：2017/06/01
第一性原理计算 电子结构性质 单轴应变 Ii-vi族半导体材料 纳米线 |
| 无权访问的条目 学位论文
作者: 刘波亭
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| GaAs/Si低温直接键合技术研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2017
作者: 刘雨生
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Gaas/si 直接键合 低温 等离子体活化 |
