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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [7]
作者
江德生 [1]
牛智川 [1]
文献类型
会议论文 [7]
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2002 [1]
2001 [2]
2000 [1]
1999 [2]
1998 [1]
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英语 [7]
出处
1998 5TH I... [1]
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Type-II SiGe/Si MQWS (multi-quantum wells) and self-organized Ge/Si islands grown by UHV/CVD system
会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Yu JZ
;
Huang CJ
;
Cheng BW
;
Zuo YH
;
Luo LP
;
Wang QM
;
Yu JZ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Optical characterization of the Ge/Si (001) islands in multilayer structure
会议论文
APOC 2001: ASIA-PACIFIC OPTICAL AND WIRELESS COMMUNICATIONS: OPTOELECTRONICS, MATERIALS, AND DEVICES FOR COMMUNICATIONS, 4580, BEIJING, PEOPLES R CHINA, NOV 12-15, 2001
作者:
Huang CJ
;
Zuo YH
;
Li C
;
Li DZ
;
Cheng BW
;
Luo LP
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Huang CJ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1316/297
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提交时间:2010/10/29
Ge/si Islands
Quantum Dot
Band Alignment
Pl
Si/si1-xgex Quantum-wells
Stranski-krastanov Growth
Ii Band Alignment
Ge Islands
Temperature-dependence
Photoluminescence
Layers
Luminescence
Organization
Mechanism
Modification of emission wavelength of self-assembled In(Ga)As/GaAs quantum dots covered by InxGa1-xAs(0 <= x <= 0.3) layer
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Niu ZC
;
Wang XD
;
Miao ZH
;
Feng SL
;
Niu ZC Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Crystal Morphology
Quantum Dots
Molecular Beam Epitaxy
Semiconducting Gallium Arsenide
Semiconducting Indium Gallium Arsenide
1.35 Mu-m
Gaas-surfaces
Photoluminescence
Islands
Methods to tune the electronic states of self-organized InAs/GaAs quantum dots
会议论文
PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 279 (1-3), HONG KONG, HONG KONG, JUN 21-25, 1999
作者:
Wang H
;
Niu ZC
;
Zhu HJ
;
Wang ZM
;
Jiang DS
;
Feng SL
;
Wang H Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Quantum Dot
Growth Interruption
Quantum Dot Laser
Structural and infrared absorption properties of self-organized InGaAs GaAs quantum dots multilayers
会议论文
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 28 (5), CHARLOTTESVILLE, VIRGINIA, JUN 24-26, 1998
作者:
Zhuang QD
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Pan L
;
Chen YH
;
Kong MY
;
Lin LY
;
Zhuang QD Chinese Acad Sci Inst Semicond Novel Mat Ctr POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1298/321
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提交时间:2010/11/15
InGaas Gaas Quantum Dots
Infrared Absorption
Self-organization
X-ray-diffraction
Islands
Transitions
New way to enhance the uniformity of self-organized InAs quantum dots
会议论文
COMPOUND SEMICONDUCTORS 1998, (162), NARA, JAPAN, OCT 12-16, 1998
作者:
Zhu HJ
;
Wang H
;
Wang ZM
;
Cui LQ
;
Feng SL
;
Zhu HJ Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:977/173
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提交时间:2010/11/15
Molecular-beam Epitaxy
Threshold
Growth
Laser
Structural and optical changes in GaAs/InAs/GaAs structure induced by thermal annealing
会议论文
1998 5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY PROCEEDINGS, BEIJING, PEOPLES R CHINA, OCT 21-23, 1998
作者:
Mo QW
;
Fan TW
;
Gong Q
;
Wu J
;
Wang ZG
;
Bai YQ
;
Zhang W
;
Mo QW Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1331/316
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提交时间:2010/10/29
Molecular-beam Epitaxy
Coherent Islands
Gaas
Growth
Dots
Dislocations
Temperature
Mechanisms
Si(001)
Ingaas