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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [6]
作者
张明兰 [2]
侯奇峰 [1]
肖红领 [1]
王翠梅 [1]
文献类型
期刊论文 [4]
会议论文 [2]
发表日期
2009 [1]
2008 [4]
2006 [1]
语种
英语 [5]
中文 [1]
出处
半导体学报 [2]
2008 9TH I... [1]
CHINESE PH... [1]
PHYSICA ST... [1]
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang ML
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Yang CB
;
Tang J
;
Feng C
;
Jiang LJ
;
Hu GX
;
Ran JX
;
Wang MG
;
Zhang ML Chinese Acad Sci Ctr Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: mlzhang@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs with improved mobility grown by MOCVD
会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:
Tang J
;
Wang XL
;
Chen TS
;
Xiao HL
;
Ran JX
;
Zhang ML
;
Hu GX
;
Feng C
;
Hou QF
;
Wei M
;
Li JM
;
Wang ZG
;
Tang, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1714/433
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提交时间:2010/03/09
Algan/gan Hemts
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Gao, HL
;
Zeng, YP
;
Wang, BQ
;
Zhu, ZP
;
Wang, ZG
;
Gao, HL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hlgao@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
AlGaN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs structure with an AlN interlayer grown by MOCVD
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Kyoto, JAPAN, OCT 15-18, 2007
作者:
Tang, J
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Ran, JX
;
Wang, CM
;
Wang, XY
;
Hu, GX
;
Li, JM
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1986/451
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提交时间:2010/03/09
Performance
Heterostructures
Optimization
Mobility
无权访问的条目
期刊论文
作者:
周志文
;
蔡志猛
;
张永
;
蔡坤煌
;
周笔
;
林桂江
;
汪建元
;
李成
;
赖虹凯
;
陈松岩
;
余金中
;
王启明
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang Xiaoliang
;
Hu Guoxin
;
Ma Zhiyong
;
Xiao Hongling
;
Wang Cuimei
;
Luo Weijun
;
Liu Xinyu
;
Chen Xiaojuan
;
Li Jianping
;
Li Jinmin
;
Qian He
;
Wang Zhanguo
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浏览/下载:1409/387
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提交时间:2010/11/23