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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 冉启江; 韩培德 ; 全宇军; 高利朋; 曾凡平; 赵春华
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 窦金锋; 韩培德; 叶志成; 胡雄伟
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陆晓东; 韩培德; 全宇军; 叶志成; 窦金锋; 赵春华
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| Effects of polarization field on formation of two-dimensional electron gas in (0001) and (11(2)over-bar0) plane AlGaN/GaN heterostructures 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者: Chen Z; Chua SJ; Yuan HR; Liu XL; Lu DC; Han PD; Wang ZG; Chen Z Singapore MIT Alliance AMMNS E4-04-10NUS4 Engn Dr3 Singapore 117576 Singapore. 电子邮箱地址: smacz@nus.edu.sg
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Metalorganic Chemical Vapor Deposition Semiconducting Iii-v Materials Doped Al(x)Ga1-xn/gan Heterostructures Carrier Confinement Effect Transistors Photoluminescence Mobility Heterojunction Interface Hfets |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 严莉; 陈晓阳; 何世堂; 李红浪; 韩培德; 陈振; 陆大成; 刘祥林; 王晓晖; 李昱峰; 袁海荣; 陆沅; 黎大兵; 朱勤生; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Chen Z; Lu DC; Wang XH; Liu XL; Yuan HR; Han PD; Wang D; Wang ZG; Li GH; Lu DC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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