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| 锑化物红外探测器工艺制备与表征 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2017
作者: 郝宏玥
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| 含铟GaN基HEMT结构的理论模拟及场板影响研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者: 李巍
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氮化镓 铟铝氮 高电子迁移率晶体管 二维电子气 电流崩塌 |
| 4H-SiC场效应晶体管的仿真设计与沟槽型MOSFET的研制 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者: 申占伟
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4h-sic 场效应晶体管 No退火 Umosfet 欧姆接触 槽角圆弧化 米勒电容 |
| 无权访问的条目 学位论文
作者: 丛慧
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| 六方氮化硼及其与石墨烯异质结构的制备与性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者: 孟军华
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石墨烯 六方氮化硼 异质结 杂化薄膜 |
| 高效稳定的杂化钙钛矿光电器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者: 张留旗
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有机无机杂化钙钛矿 太阳能电池 发光二极管 |
| 无权访问的条目 学位论文
作者: 朱石超
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| 无权访问的条目 学位论文
作者: 刘磊
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| Si基高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者: 孔祥挺
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Ingaas沟道 高迁移率 Mosfet Ge/si衬底 |
| GaN基HEMT器件材料的生长技术研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者: 吉泽生
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