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| STUDY OF MICROSTRUCTURE AND DEFECTS IN HYDROGENATED MICROCRYSTALLINE SILICON FILMS 会议论文
, Philadelphia, PA, 2009
作者: Peng WB (Peng Wenbo); Zeng XB (Zeng Xiangbo); Liu SY (Liu Shiyong); Xiao HB (Xiao Haibo); Kong GL (Kong Guanglin); Yu YD (Yu Yude); Liao XB (Liao Xianbo)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Luo HH (Luo Haihui); Qian X (Qian Xuan); Ruan XZ (Ruan Xuezhong); Ji Y (Ji Yang); Umansky V (Umansky Vladimir); Ji, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, SKLSM, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiyang@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Hu Q; Wei TB ; Duan RF; Yang JK; Huo ZQ; Lu TC; Zeng YP; Hu Q Sichuan Univ Minist Educ Dept Phys Chengdu 610064 Peoples R China. E-mail Address: lutiecheng@scu.edu.cn; ypzeng@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Tan XT; Zheng HZ; Liu J; Zhu H; Xu P; Li GR; Yang FH; Zheng HZ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Microstruct & Superlattices POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: hzzheng@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Gai YQ; Li JB; Hou QF; Wang XL; Xiao HL; Wang CM; Li JM; Li JB Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jbli@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Cai PF; You JB; Zhang XW; Dong JJ; Yang XL; Yin ZG; Chen NF; Zhang XW Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xwzhang@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Luo HH; Qian X; Gu XF; Ji Y; Umansky V; Ji Y Chinese Acad Sci Inst Semicond SKLSM Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: hhluo@semi.ac.cn; jiyang@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Lu QY; Zhang W; Wang LJ; Gao Y; Yin W; Zhang QD; Liu WF; Liu FQ; Wang ZG; Lu, QY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: fqliu@red.semi.ac.cn
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| In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD 会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者: Sun, GS; Zhao, YM; Wang, L; Zhao, WS; Liu, XF; Ji, G; Zeng, YP; Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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In-situ Doping Boron Aluminum Memory Effects Hot-wall Lpcvd 4h-sic |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Guo LC; Wang XL; Xiao HL; Ran JX; Wang CM; Ma ZY; Luo WJ; Wang ZG; Guo LC Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: lcguo@semi.ac.cn
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