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4H -SiC 基 SiO 2和 Al 2O3栅介质层的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2016
作者:  田丽欣
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宽禁带半导体材料光学性质的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  刘雅丽
Adobe PDF(5504Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1270/64  |  提交时间：2016/06/03
Algan/algan 量子阱  Gan/aln量子点  半导体金刚石  深紫外光致发光  激子-声子作用  激子局域化