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中国科学院半导体研究所机构知识库
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
GaN和GaSb基稀磁半导体、肖特基结的制备及其性质研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:
陶东言
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提交时间:2015/05/29
稀磁半导体
Gan
Gasb
表面钝化
肖特基器件
2~4μm 红外波段GaSb基量子阱激光器材料生长与器件制备研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:
邢军亮
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提交时间:2015/05/29
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提交时间:2016/04/15