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| Design and fabrication of high-responsivity photodetector based on avalanche effect and surface plasmons effect 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2016 作者: Mehdi Afshari Bavil Adobe PDF(1612Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:858/21  |  提交时间:2016/11/14 |
| 稀铋 磷化物 InP 1-xBi x晶格 振动与电学输运特性的研究 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2016 作者: 魏冠男 Adobe PDF(3997Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:769/11  |  提交时间:2016/12/05 |
| AlGaN/GaN HEMT 功率开关器件漏电与陷阱效应研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2016 作者: 郝美兰 Adobe PDF(13279Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:590/21  |  提交时间:2018/06/14 |
| II-VI族三元光伏材料ZnSeTe的生长与物性研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2016 作者: 任敬川 Adobe PDF(3047Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:571/12  |  提交时间:2016/06/03 Ii-vi族半导体 分子束外延 Znsete 单晶薄膜 掺杂 |
| InP基雪崩光电二极管结构设计与关键工艺研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2016 作者: 李慧梅 Adobe PDF(3836Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:883/78  |  提交时间:2016/06/02 Ingaas/inp Apd Ingaas/inalas Apd 增益 暗电流 击穿电压 扩散zn掺杂 |
| 绿光InGaN/GaN多量子阱发光特性研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2016 作者: 刘炜 Adobe PDF(3916Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1007/66  |  提交时间:2016/06/01 |
| GaN HEMT 基础问题研究 学位论文 , 北京: 中国科学院大学, 2016 作者: 何晓光 Adobe PDF(12727Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:980/90  |  提交时间:2016/06/02 Gan Hemt 2deg Mocvd 高阻 |
| GaN基紫外探测器的欧姆接触工艺和器件物理研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2016 作者: 李晓静 Adobe PDF(6373Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:707/88  |  提交时间:2016/06/02 |
| 基于ART技术的硅基III-V族材料及器件研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2016 作者: 李士颜 Adobe PDF(15932Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:687/63  |  提交时间:2016/06/02 高深宽比限制技术 选区外延技术 Si基iii-v族异质外延 Si基高迁移率iii-v族mosfet 纳米激光器 |
| 2-5 μm锑化物中红外探测器 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2016 作者: 向伟 Adobe PDF(5896Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:963/117  |  提交时间:2016/06/03 锑化物 红外探测器 雪崩光电二极管 Inas/gasb超晶格 势垒探测器 |