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| GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-11, 公开日期: 4012
发明人: 汤宝 ; 周志强; 郝瑞亭; 任正伟; 徐应强; 牛智川
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| GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-21, 公开日期: 4010
发明人: 周志强; 郝瑞亭; 汤 宝; 任正伟; 徐应强; 牛智川
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| 一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910235334.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 牛智川; 倪海桥; 王海莉; 贺继方; 朱岩; 李密峰; 王鹏飞; 黄社松; 熊永华
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| 在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102208756A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 汪明; 杨涛
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| 光伏型InAs量子点红外探测器结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910242347.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 唐光华; 徐波; 叶小玲; 金鹏; 刘峰奇; 陈涌海; 王占国; 姜立稳; 孔金霞; 孔宁
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| 一种测量光子晶体孔洞侧壁垂直度的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081986.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 彭银生; 徐波; 叶小玲; 王占国
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| 一种InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010106773.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-07-14, 2011-08-30
发明人: 王国伟; 汤宝; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川
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| 一种制备InAs室温铁磁性半导体材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241700.9, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 朱峰; 李京波
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| 砷化镓基短波长量子点超辐射发光二极管 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102136534A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 梁德春; 李新坤; 金鹏; 王占国
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| 窄脊半导体器件的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2017-06-05
发明人: 杨冠卿; 梁平; 徐波; 陈涌海; 王占国
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