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| GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-11, 公开日期: 4012
发明人: 汤宝 ; 周志强; 郝瑞亭; 任正伟; 徐应强; 牛智川
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| GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-21, 公开日期: 4010
发明人: 周志强; 郝瑞亭; 汤 宝; 任正伟; 徐应强; 牛智川
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| Large-Signal Performance of 1.3 mu m InAs/GaAs quantum-dot lasers 会议论文
, Shanghai, PEOPLES R CHINA, AUG 30-SEP 03, 2009
作者: Ji; HM; Cao; YL; Xu PF; Gu YX; Ma WQ; Liu Y; Wang X; Xie L; Yang T; Ji, HM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Chen J; Fan WJ; Xu Q; Zhang XW; Li SS; Xia JB; Chen J Nanyang Technol Univ Sch Elect & Elect Engn Singapore 639798 Singapore. E-mail Address: ewjfan@ntu.edu.sg
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Chen J; Fan WJ; Xu Q; Zhang XW; Li SS; Xia JB; Fan WJ Nanyang Technol Univ Sch Elect & Elect Engn Singapore 639798 Singapore. E-mail Address: ewjfan@ntu.edu.sg
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yang CL; Cui XD; Shen SQ; Xu ZY; Ge WK; Yang CL Univ Hong Kong Dept Phys Hong Kong Hong Kong Peoples R China. E-mail Address: xdcui@hku.hk
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Guo J; Peng ZY; Lu ZX; Sun WG; Hao RT; Zhou ZQ; Xu YQ; Niu ZC; Guo J NW Polytech Univ Sch Mat Xian 710072 Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Don XM; Sun BQ; Huang SS; Ni HQ; Niu ZC; Yang FH; Jia R; Sun BQ Chinese Acad Sci Inst Semicond SKLSM Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: bqsun@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang PF; Xiong YH; Wang HL; Huang SS; Ni HQ; Xu YQ; He ZH; Niu ZC; Wang PF Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattice & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: pfwang@semi.ac.cn
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| Theoretical analysis of modal gain in p-doped 1.3 mu m InAs/GaAs quantum dot lasers 会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Gyeongju, SOUTH KOREA, MAY 11-16, 2008
作者: Ji HM; Yang T; Cao YL; Ma WQ; Cao Q; Chen LH; Yang, T, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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