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低位错III-V族单晶衬底InP、GaSb和InAs的残留应力及其退火消除研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  周媛
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhen, Zixin;   Feng, Chun;   Wang, Quan;   Niu, Di;   Wang, Xiaoliang;   Tan, Manqing
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锑化铟的掺杂与异质结构的研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:  董海云
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无权访问的条目 学位论文
作者:  于天
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面向新型红外探测应用的GaSb单晶制备、物性及缺陷控制 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:  白永彪
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GaAs基InSb薄膜MBE外延生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  赵晓蒙
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硅基III-V族半导体材料的外延生长及量子点激光器研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  刘广政
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Gaas/si  Gaas/ge  两步法  四步法  量子点  激光器  
基于高电子迁移率晶体管的的生物传感器研制 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  王成艳
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锑化物异质结构的材料生长及性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2014
作者:  张雨溦
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, YW;  Zhang, Y;  Guan, M;  Cui, LJ;  Li, YB;  Wang, BQ;  Zhu, ZP;  Zeng, YP
Adobe PDF(2396Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:372/58  |  提交时间:2015/03/25