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| 低位错III-V族单晶衬底InP、GaSb和InAs的残留应力及其退火消除研究 学位论文 , 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021 作者: 周媛 Adobe PDF(5304Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:404/7  |  提交时间:2021/06/18 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zhen, Zixin; Feng, Chun; Wang, Quan; Niu, Di; Wang, Xiaoliang; Tan, Manqing Adobe PDF(2794Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1/1  |  提交时间:2022/03/28 |
| 锑化铟的掺杂与异质结构的研究 学位论文 , 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020 作者: 董海云 Adobe PDF(5971Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:434/7  |  提交时间:2020/08/05 |
| 无权访问的条目 学位论文 作者: 于天 Adobe PDF(9698Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:28/0  |  提交时间:2019/11/19 |
| 面向新型红外探测应用的GaSb单晶制备、物性及缺陷控制 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2018 作者: 白永彪 Adobe PDF(6437Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:595/26  |  提交时间:2018/06/01 |
| GaAs基InSb薄膜MBE外延生长研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2017 作者: 赵晓蒙 Adobe PDF(4176Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:857/47  |  提交时间:2017/06/01 |
| 硅基III-V族半导体材料的外延生长及量子点激光器研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2016 作者: 刘广政 Adobe PDF(6805Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1626/100  |  提交时间:2016/06/03 Gaas/si Gaas/ge 两步法 四步法 量子点 激光器 |
| 基于高电子迁移率晶体管的的生物传感器研制 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2016 作者: 王成艳 Adobe PDF(3506Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:829/122  |  提交时间:2016/06/03 |
| 锑化物异质结构的材料生长及性质研究 学位论文 , 北京: 中国科学院大学, 2014 作者: 张雨溦 Adobe PDF(5041Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1230/62  |  提交时间:2014/11/18 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zhang, YW; Zhang, Y; Guan, M; Cui, LJ; Li, YB; Wang, BQ; Zhu, ZP; Zeng, YP Adobe PDF(2396Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:372/58  |  提交时间:2015/03/25 |