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| AlGaN/GaN HEMT 功率开关器件漏电与陷阱效应研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 郝美兰
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| 8XXnm 激光器的结构设计研究与抗静电分析 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 庞艺
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| II-VI族三元光伏材料ZnSeTe的生长与物性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 任敬川
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Ii-vi族半导体 分子束外延 Znsete 单晶薄膜 掺杂 |
| 硅基锗材料的异质外延及高效发光器件研制 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 何超
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Si 基发光器件 Ge/si 量子点 Ge/sige 量子阱 Ge 薄膜 |
| 锗锡和锗铅合金材料能带调控的第一性原理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 黄文奇
Adobe PDF(4288Kb) | 收藏 | 浏览/下载：633/34 | 提交时间：2016/06/02
四族合金半导体 能带调控 第一性原理 |
| 无结硅纳米线晶体管中杂质相关的量子输运行为研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者: 王昊
Adobe PDF(7578Kb) | 收藏 | 浏览/下载：631/30 | 提交时间：2016/06/01
无结硅纳米线晶体管 电流振荡 量子点 输运模式 激活能 |
| 宽禁带半导体材料光学性质的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 刘雅丽
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Algan/algan 量子阱 Gan/aln量子点 半导体金刚石 深紫外光致发光 激子-声子作用 激子局域化 |
| GaN HEMT 基础问题研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者: 何晓光
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Gan Hemt 2deg Mocvd 高阻 |
| GaN基紫外探测器的欧姆接触工艺和器件物理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 李晓静
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| 无权访问的条目 学位论文
作者: 马刘红
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