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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao DG;  Jiang DS;  Zhu JJ;  Wang H;  Liu ZS;  Zhang SM;  Wang YT;  Jia QJ;  Yang H;  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: dgzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jahn U;  Brandt O;  Luna E;  Sun X;  Wang H;  Jiang DS;  Bian LF;  Yang;  H;  Jahn, U, Paul Drude Inst Festkorperelekt, Hausvogteipl 5-7, D-10117 Berlin, Germany. 电子邮箱地址: ujahn@pdi-berlin.de
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng XH;  Jiang DS;  Johnson S;  Zhang YH;  Zheng XH,Chinese Acad Sci,Inst Phys,POB 603,Beijing 100080,Peoples R China.
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Optical transitions and type-II band lineup of MBE-grown GaNAs/GaAs single-quantum-well structures 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Sun BQ;  Jiang DS;  Pan Z;  Li LH;  Wu RH;  Sun BQ Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Molecular Beam Epitaxy  Quantum Wells  Semiconducting Iiiv Materials  Luminescence  Gaasn  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun BQ;  Jiang DS;  Pan Z;  Li LH;  Wu RH;  Sun BQ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(112Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1212/382  |  提交时间：2010/08/12