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| 在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12 发明人: 王鹏飞; 吴东海; 吴兵朋; 熊永华; 詹 峰; 黄社松; 倪海桥; 牛智川 Adobe PDF(412Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1664/296  |  提交时间:2010/08/12 |
| 应用微波光子晶体的共面波导结构 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-23, 2010-08-12 发明人: 张 昀; 哈森其其格; 任 民; 鞠 昱; 陈 伟; 谢 亮; 祝宁华 Adobe PDF(369Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1584/331  |  提交时间:2010/08/12 |
| 利用准分子激光退火制作SiGe或Ge量子点的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 韩根全; 曾玉刚; 余金中 Adobe PDF(295Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1111/204  |  提交时间:2009/06/11 |
| 四端口微带传输线网络串扰测量装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张昀; 哈森其其格; 李亮; 祝宁华 Adobe PDF(439Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1218/257  |  提交时间:2009/06/11 |
| 具有外加磁场的深能级瞬态谱样品台装置及其测量方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 卢励吾; 张砚华; 葛惟昆 Adobe PDF(734Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1019/142  |  提交时间:2009/06/11 |
| 探测半导体能带结构高阶临界点的新方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 谭平恒; 徐仲英; 罗向东; 葛惟昆 Adobe PDF(484Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1323/210  |  提交时间:2009/06/11 |
| 具有外加磁场的深能级瞬态谱测量装置与测量方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 卢励吾; 张砚华; 葛惟昆 Adobe PDF(635Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1043/157  |  提交时间:2009/06/11 |
| 在Si基片上生长高密度超小型Ge量子点的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 时文华; 李传波; 王容伟; 罗丽萍; 王启明 Adobe PDF(406Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1144/191  |  提交时间:2009/06/11 |
| 带有外加磁场的深能级测量样品架装置 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2004-10-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 卢励吾; 张砚华; 葛惟昆 Adobe PDF(267Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1100/187  |  提交时间:2009/06/11 |
| 半导体材料电信号测试装置 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2003-07-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张砚华; 卢励吾; 葛惟昆 Adobe PDF(261Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1154/158  |  提交时间:2009/06/11 |