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| GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-11, 公开日期: 4012 发明人: 汤宝; 周志强; 郝瑞亭; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(573Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1448/287  |  提交时间:2010/03/19 |
| GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-21, 公开日期: 4010 发明人: 周志强; 郝瑞亭; 汤 宝; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(550Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1408/257  |  提交时间:2010/03/19 |
| 一种InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010106773.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-07-14, 2011-08-30 发明人: 王国伟; 汤宝; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(560Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1394/189  |  提交时间:2011/08/30 |
| HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010123021.4, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张宇; 王国伟; 汤宝; 任正伟; 徐应强; 牛智川; 陈良惠 Adobe PDF(176Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1445/269  |  提交时间:2011/08/31 |
| “W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102157903A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 迂修; 张宇; 王国伟; 徐应强; 徐云; 宋国峰 Adobe PDF(227Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1265/352  |  提交时间:2012/09/09 |
| 一种制备GaSb基分布反馈激光器中光栅的系统及方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04 发明人: 王永宾; 张晶; 徐云; 宋国锋; 陈良惠 Adobe PDF(1205Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:604/88  |  提交时间:2014/10/31 |
| 甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器材料的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04 发明人: 卫炀; 马文全; 张艳华; 曹玉莲 Adobe PDF(715Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2093/82  |  提交时间:2014/10/31 |
| 一种在GaAs衬底上外延生长InAs/GaSb二类超晶格的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-07 发明人: 郭晓璐; 马文全; 张艳华 Adobe PDF(390Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1168/112  |  提交时间:2014/11/24 |
| InSb/GaSb量子点结构器件及生长方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11 发明人: 邢军亮; 张宇; 徐应强; 王国伟; 王娟; 向伟; 任正伟; 牛智川 Adobe PDF(1368Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:823/76  |  提交时间:2014/11/24 |
| InAs/GaSb二类超晶格红外探测器 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11 发明人: 黄建亮; 马文全; 张艳华; 曹玉莲 Adobe PDF(479Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1244/104  |  提交时间:2014/10/31 |