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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研... [11]
作者
江德生 [3]
黎大兵 [1]
谭平恒 [1]
张加勇 [1]
文献类型
会议论文 [11]
发表日期
2003 [3]
2002 [3]
2001 [3]
2000 [1]
1999 [1]
语种
英语 [11]
出处
PHYSICA ST... [2]
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Growth and photoluminescence of InAlGaN films
会议论文
5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NITRIDE SEMICONDUCTORS (ICNS-5), PROCEEDINGS, NARA, JAPAN, MAY 25-30, 2003
作者:
Li DB
;
Dong X
;
Huang JS
;
Liu XL
;
Xu ZY
;
Wang ZG
;
Li DB Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1312/347
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提交时间:2010/10/29
Multiple-quantum Wells
Quaternary Alloys
Optical-properties
Optical study of localized and delocalized states in GaAsN/GaAs
会议论文
GAN AND RELATED ALLOYS - 2003, 798, Boston, MA, DEC 01-05, 2003
作者:
Xu ZY
;
Luo XD
;
Yang XD
;
Tan PH
;
Yang CL
;
Ge WK
;
Zhang Y
;
Mascarenhas A
;
Xin HP
;
Tu CW
;
Xu ZY Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Molecular-beam Epitaxy
Alloys
Gaas1-xnx
Photoluminescence
Relaxation
Pressure behavior of Te isoelectronic centers in S-rich ZnS1-xTex alloy
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 235 (2), GUILDFORD, ENGLAND, AUG 05-08, 2002
作者:
Li GH
;
Fang ZL
;
Su FH
;
Ma BS
;
Ding K
;
Han HX
;
Sou IK
;
Ge WK
;
Li GH Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Optical-absorption
Zns-te
Transition
Edge
Optical properties of AIInGaN quaternary alloys
会议论文
COMMAD 2002 PROCEEDINGS, SYDNEY, AUSTRALIA, DEC 11-13, 2002
作者:
Huang JS
;
Dong X
;
Luo XD
;
Liu XL
;
Xu ZY
;
Ge WK
;
Huang JS Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1386/242
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提交时间:2010/10/29
Light-emitting-diodes
Localized Excitons
Luminescence
Relaxation
Silicon
Band
Temperature dependence of photoluminescence of flat and undulated SiGe/Si multiple quantum wells
会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Cheng BW
;
Zhang JG
;
Zuo YH
;
Mao RW
;
Huang CJ
;
Luo LP
;
Yao F
;
Wang QM
;
Cheng BW Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1153/201
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提交时间:2010/11/15
Si-ge Alloys
Growth
Layers
The influence of nitrogen clustering effect on optical transitions in GaInNAs/GaAs quantum wells
会议论文
INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, PROCEEDINGS, AACHEN, GERMANY, JUL 22-25, 2002
作者:
Jiang DS
;
Liang XG
;
Sun BQ
;
Bian L
;
Li LH
;
Pan Z
;
Wu RG
;
Jiang DS Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Luminescence
Localization
Defect states in cubic GaN epilayer grown on GaAs by metalorganic vapor phase epitaxy
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH, 188 (2), DENVER, COLORADO, JUL 16-20, 2001
作者:
Xu SJ
;
Or CT
;
Li Q
;
Zheng LX
;
Xie MH
;
Tong SY
;
Yang H
;
Xu SJ Univ Hong Kong Dept Phys Pokfulam Rd Hong Kong Hong Kong Peoples R China.
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浏览/下载:1201/331
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提交时间:2010/11/15
Optical-transitions
Photoluminescence
Influences of initial nitridation process on the optical and structural characterization of GaN layer grown on sapphire (0001) by metalorganic chemical vapor deposition
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH, 188 (2), DENVER, COLORADO, JUL 16-20, 2001
作者:
Sun XL
;
Yang H
;
Zhu JJ
;
Wang YT
;
Chen Y
;
Li GH
;
Wang ZG
;
Sun XL Ohio State Univ Dept Elect Engn Columbus OH 43210 USA.
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浏览/下载:1236/285
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提交时间:2010/11/15
Gallium Nitride
Luminescence
Bulk
Optical transitions and type-II band lineup of MBE-grown GaNAs/GaAs single-quantum-well structures
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Sun BQ
;
Jiang DS
;
Pan Z
;
Li LH
;
Wu RH
;
Sun BQ Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1141/261
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提交时间:2010/11/15
Molecular Beam Epitaxy
Quantum Wells
Semiconducting Iiiv Materials
Luminescence
Gaasn
Cooperative spontaneous emission of excitons in the semiconductor microcavity
会议论文
VERTICAL-CAVITY SURFACE-EMITTING LASERS IV, 3946, SAN JOSE, CA, JAN 26-28, 2000
作者:
Liu S
;
Lin SM
;
Wang QM
;
Liu S Chinese Academe Inst Semicond Natl Optoelect Integrat Lab Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Spontaneous Emission
Microcavity Anisotropy
Polarized Exciton
Surface-emitting Lasers
Polariton Photoluminescence
Cavity
Operation