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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Gai YQ; Li JB ; Yao B; Xia JB; Gai YQ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jbli@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Shi HL; Zhang P; Li SS; Xia JB; Shi HL Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: hlshi@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Tan XT; Zheng HZ; Liu J; Zhu H; Xu P; Li GR; Yang FH; Zheng HZ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Microstruct & Superlattices POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: hzzheng@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Cai PF; You JB; Zhang XW; Dong JJ; Yang XL; Yin ZG; Chen NF; Zhang XW Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xwzhang@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Song HP; Yang AL; Zhang RQ; Guo Y; Wei HY; Zheng GL; Yang SY; Liu XL; Zhu QS; Wang ZG; Song HP Chinese Acad Sci Kev Lab Semicond Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: songhp@semi.ac.cn; xlliu@semi.ac.cn; qszhu@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Ding WC; Liu Y; Zhang Y; Guo JC; Zuo YH; Cheng BW; Yu JZ; Wang QM; Ding WC Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: wcd04@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Cheng BC; Tian BX; Sun W; Xiao YH; Lei SJ; Wang ZG; Cheng BC Nanchang Univ Inst Adv Studying Nanchang 330031 Peoples R China. E-mail Address: bcheng@vip.sina.com
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Lu QY; Zhang W; Wang LJ; Gao Y; Yin W; Zhang QD; Liu WF; Liu FQ; Wang ZG; Lu, QY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: fqliu@red.semi.ac.cn
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| In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD 会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者: Sun, GS; Zhao, YM; Wang, L; Zhao, WS; Liu, XF; Ji, G; Zeng, YP; Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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In-situ Doping Boron Aluminum Memory Effects Hot-wall Lpcvd 4h-sic |
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作者: Ji HM; Cao YL; Yang T; Ma WQ; Cao Q; Chen LH; Ji HM Chinese Acad Sci Inst Semicond Nanooptoelect Lab Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: tyang@semi.ac.cn
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