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Study on optical band gap of boron-doped nc-Si : H film 会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:  Wei WS;  Wang TM;  Zhang CX;  Li GH;  Han HX;  Ding K;  Wei WS Beijing Univ Aeronaut & Astronaut Sch Sci Ctr Mat Phys & Chem Beijing 100083 Peoples R China.
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Amorphous-silicon  
The influence of oxygen content on photoluminescence from Er-doped SiOx 会议论文
LUMINESCENT MATERIALS, 560, SAN FRANCISCO, CA, APR 05-08, 1999
作者:  Chen WD;  Liang JJ;  Hsu CC;  Chen WD Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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